MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：66
- 题名/责任者:
- 硅基锗材料生长与器件构筑/陈城钊著
- 出版发行项:
- 哈尔滨:哈尔滨工程大学出版社,2020.04
- ISBN及定价:
- 978-7-5661-2648-1/CNY46.00
- 载体形态项:
- 99页:图;24cm
- 个人责任者:
- 陈城钊 著
- 学科主题:
- 硅基材料-纳米材料-结构
- 学科主题:
- 硅基材料-纳米材料-应用-半导体光电器件
- 中图法分类号:
- TB383.031
- 中图法分类号:
- TN36
- 中图法分类号:
- TB383
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书分为三个部分, 首先介绍了硅基锗材料生长及器件的基础知识, 接着阐述了采用低温缓冲层技术外延生长硅基锗材料, 锗的原位硼 (B) 和磷 (P) 掺杂, 最后是硅基锗PN结和PIN结构的基本物理特性, 并给出相关特性的定性与定量分析。
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理工阅览室（4楼）