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MARC状态:已编 文献类型:中文图书 浏览次数:45

题名/责任者:
数字集成电路分析与设计(第3版):深亚微米技术/[美]David A. Hodges,[美]Horace G. Jackson,[美]Resve A. Saleh著
版本说明:
影印版
出版发行项:
北京:清华大学出版社,2004
ISBN及定价:
7-302-09061-0/CNY55.00
载体形态项:
19, 546页:图;24cm
并列正题名:
Analysis and Design of Digital Integrated Circuits:In Deep Submicron Technology
其它题名:
深亚微米技术
编目员补充题名:
数字集成电路分析与设计(第3版)
个人责任者:
Hodges, David A. 著
个人责任者:
Jackson, Horace G. 著
个人责任者:
Saleh, Resve A. 著
学科主题:
数字集成电路-电路分析-高等学校-英文-教材
学科主题:
数字集成电路-电路设计-高等学校-英文-教材
中图法分类号:
TN431.2
中图法分类号:
TN431
一般附注:
国外大学优秀教材——微电子类系列
一般附注:
与美国麦格劳-希尔教育出版(亚洲)公司合作出版,仅限中国大陆镜内销售
书目附注:
有书目,书末附索引(第529-546页)
提要文摘附注:
本书把当前数字集成电路中已无可争议地占绝对主导地位的CMOS电路技术作因主要内容。全书以当前工业界领先的0.18微米和0.13微米的工艺技术为基础,注入了五夺深亚微米领域电路设计方面的资料,如先进的电路制造工艺,电源网络设计等。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态
TN431/21 10262192   密集书库(1楼) 144-10-1 图书定位    可借
TN431/21 10262717   密集书库(1楼) 132-7-1 图书定位    可借
TN431/21 10262718   密集书库(1楼) 132-7-1 图书定位    可借
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