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MARC状态:已编 文献类型:中文图书 浏览次数:24

题名/责任者:
抗辐射设计与辐射效应/沈自才, 丁义刚著
出版发行项:
北京:中国科学技术出版社,2015.05
ISBN及定价:
978-7-5046-6738-0/CNY102.00
载体形态项:
343页:图;26cm
个人责任者:
沈自才
个人责任者:
丁义刚
学科主题:
辐射防护-设计-研究
中图法分类号:
TL7
一般附注:
中国科协三峡科技出版资助计划
书目附注:
有书目和索引
提要文摘附注:
本书作者从辐射环境、辐射效应、辐射损伤机制、辐照试验、辐射屏蔽、抗辐射设计方法、辐射加固保证等方面对抗辐射设计所涉及的内容进行阐述, 对漆类材料、聚合物材料、光学材料、MOS工艺器件、二极管、双极晶体管、FPGA、CCD等典型材料与器件的辐射损伤机理和辐射效应数据进行梳理与总结。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态
TL7/21 20118247   理工阅览室(4楼) 图书定位    可借
TL7/21 20118248   理工阅览室(4楼) 图书定位    可借
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